先进电子材料与器件

发布者:尹川发布时间:2022-03-11浏览次数:49

一、团队名称

先进电子材料与器件

二、团队介绍

本科研团队于组建2016年,负责人为张阳教授,2020年被认定为校学科交叉创新团队。本团队瞄准本领域前沿发展方向和国家战略需求,开展基础性、前瞻性和变革性的学术研究和技术发展。团队注重学科交叉和技术融合,研究领域广泛,研究基础雄厚,梯队结构合理,学术气氛活用,具有很好的发展态势。团队科研经费充足,承担国家级科技项目、国家自然科学基金、省自然科学基金等重要课题多项。团队科研成果丰富,近年来在国际有影响力的学术期刊发表SCI论文70多篇。本团队注重人才培养,近三年共有6位研究生获得国家奖学金,有近20名本科生发表SCI一作论文,学生培养质量高。

一、科研方向

方向1:纳米真空电子器件

本研究方向重点发展碳基纳米材料基的冷阴极高频大功率微波器件。研究目标是研制室温下低电子发射阈值、大电流密度的冷阴极,以及小型化的冷阴极器件。应用方向是空间/空天通讯、武器制导、电磁干扰、安检与小型化CT系统等。

方向2:超级导体(Ultraconductor

本研究方向重点发展碳-铜纳米复合体系,研制导电、导热、载流能力和力学性能优于铜的新一代导体。应用方向包括微纳电子互联与大功率器件热管理。

方向3:量子纳米结构/2D半导体

本方向重点研究具有显著量子效应的半导体量子点(QDs)、碳纳米点(CDs)、石墨烯量子点(GQDs)以及它们的组合体系,以发展新型高性能的光电子器件。2D半导体重点研究N-掺杂石墨烯基2D半导体和TMD,以及它们的组合体系,以发展新一代高性能的FET器件。

方向4:传感阵列集成器件

本研究方向是基于多种物理效应的物理介质及其之间的偶合(coupling)和协同作用原理,通过对敏感介质进行芯片包埋和结构设计,实现对获得的信号进行芯片级的增强、转换、调制和发射。发展新型高敏感、低功耗高效的传感器阵列。


二、代表性成果

1)代表性项目

[1]****,国家基础加强计划,2020-2023400


[2] ****,国家前沿创新项目,2019-2021120


[3] ****,国家前沿创新项目,2018-201950


[4]二维过渡金属硫属化合物的界面和缺陷调控及光电性能研究,国家自然科学基金, 2020-202225


[5]阵列结构铁氧体纳米材料的制备及其构效关系,国家自然科学基金, 2018-202025


[6]****,企事业项目,2021-2022,1200万。

2)代表性论文

[1]Thickness-dependent enhanced optoelectronic performance of surface charge transfer-doped ReS2 photodetectors. Nano Research. 2021.

[2]Broadband photodetector based on ReS2/graphene/WSe2 heterostructure. Nanotechnology. 2021.

[3]Significantly tailored energy-storage performances in Bi0.5Na0.5TiO3–SrTiO3-based relaxor ferroelectric ceramics by introducing bismuth layer-structured relaxor BaBi2Nb2O9 for capacitor application. Journal of Materials Chemistry C. 2021.

[4]Nitrogen-Doped Few-Layer Graphene Grown Vertically on a Cu Substrate via C-60/Nitrogen Microwave Plasma and Its Field Emission Properties. J Phys Chem C. 2020.

[5]Nitrogen-Doped Graphene Quantum Dots Synthesized by C-60/Nitrogen Plasma with Excitation-Independent Blue Photoluminescence Emission for Sensing of Ferric Ions. J Phys Chem C. 2018.