董志华

发布者:尹川发布时间:2021-12-21浏览次数:125

  姓名:董志华

  职务:

  职称:高工

  导师类别:硕士生导师

  出生年月:1978年

  所属团队:新型半导体器件与电路

  办公地点:

  联系方式:18257169980

个人经历

200509- 201101北京大学,博士

201103- 201312中国科学院苏州纳米仿生与纳米技术研究所博士后

201312- 201406月中国科学院苏州纳米仿生与纳米技术研究所,高级工程师

201406- 至今杭州电子科技大学万博体育maxbextx官网首页学院,高级工程师

个人简介

  万博体育maxbextx官网首页教师,IEEE会员。近五年发主持国家自然科学基金青年科学项目1项,横向课题8项,获美国专利1项,中国专利8

研究方向

研究方向:宽禁带半导体器件,宽禁带半导体电路

代表性成果


代表性成果

成果名称

(获奖、论文、专著、专利、项目来源与项目类别)

获奖类别及等级,发表刊物、出版单位,专利类型及专利号、项目名称)

时间、起讫时间

署名情况、到账经费

(万元)

国家自然科学基金青年基金项目

GaN HEMT器件钝化关键技术研究

201401-201612

25

通信电子线路

西安电子科技大学出版社

2019

程知群,陈瑾,林弥,周涛,刘国华,董志华,柯华杰

Communication Electronic Circuits

科学出版社

2020

程知群,刘国华,柯华杰,林弥,陈瑾,董志华,周涛

III-V HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

美国专利

US10283598B2

2019

1/5

一种碳纳米管/细菌纤维素气凝胶材料的制备方法及超级电容器

发明专利

ZL202010532084.9

2020

1/7

基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及其制作方法

发明专利

ZL201911259202.7

2019

1/6

一种具有温差发电机构的III-VHEMT器件

发明专利

ZL201810688668.8

2018

1/6

一种利用全固态电池实现的增强型III-VHEMT器件

发明专利

ZL201810405244.6

2018

1/7


一种利用全固态电池实现增强型III-VHEMT器件的方法

发明专利

ZL201810405243.1

2018

1/7

具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法

发明专利

ZL201810689962.0

2018

1/6

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法

发明专利

ZL201410008455.8

2017

1/4

具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法

发明专利

ZL201410007469.8

2017

1/4